第640章 碳基芯片（1/2）

坐在周政左手边的一个年轻女研究员开口了。

短头发，说话很快。

碳管阵列生长工艺负责人，林恩恩。

“打个比方。硅基晶体管的电子跑起来像在泥地里走路，碳管里的电子像在冰面上滑。

同样的距离，一个喘得要死，一个根本没出汗。”

方墨在角落里轻声嘀咕了一句：“冰面上打冰壶。”

林恩恩看了他一眼，没理。

“载流子饱和速度四乘十的七次方厘米每秒，硅的四倍。”

周政切到下一页，“更关键的是，碳管的一维超薄体结构天然压制短沟道效应。

硅基芯片缩到三纳米以下，量子隧穿漏电堵都堵不住，得靠GAA环栅、背面供电这些复杂架构去兜。

碳管不用。物理结构本身就是答案。”

“所以我们在七纳米节点，用的是最简单的平面顶栅结构。”

陈阳问：“器件架构说一下。”

周政右手边的人接过话。

瘦高个，四十出头，左手无名指缠着创可贴——大概是调试设备时划的。

器件架构与集成负责人，陈锋。

跟陈阳同姓，但没有亲戚关系。

“无掺杂CMOS。”

陈锋把投影切到器件截面图，“硅基芯片造P型和N型晶体管，得靠离子注入往硅里面砸掺杂原子。

温度上千度，而且砸进去的原子分布不均匀，直接影响器件一致性。”

“我们不掺杂。P型管用钯做源漏电极，N型管用钪。

金属功函数不一样，电子注入行为不一样，晶体管极性就分开了。”

他翻到下一张图，是一组对比数据。

“免掺杂带来两个好处。第一，没有离子注入造成的晶格损伤，器件寿命延长三倍以上。

第二，阈值电压一致性提升一个数量级。

直接反映在良率上——我们首批试产的良率是百分之九十二点三。”

苏清妍的笔停了一下，抬头看了陈阳一眼。

百分之九十二点三。

台积电三纳米工艺刚量产时的良率不到百分之八十。

陈阳没有表态，示意继续。

第三个人站起来。

矮胖，说话带江浙口音。

碳管提纯与材料负责人，何建宏。

天奈科技并入的技术骨干。

“原料是整条工艺链的命门。”

何建宏打开自己的笔记本电脑，屏幕上是一组纯度检测报告。

“半导体型碳管纯度要求六个九——百分之九十九点九九九九。少一个九，芯片就会出现随机逻辑错误。

这个指标在三年前全世界没有人能做到公斤级量产。”

“现在能做到。”

他指着报告上的数字，

“凝胶色谱法提纯，六台设备并联，日产量两公斤。

管径偏差控制在零点二纳米以内，带隙零点五到零点七电子伏特，无金属催化剂残留。”

“两公斤够造多少片晶圆？”陈阳问。

“八英寸晶圆，每天两公斤碳管大约支撑四百片。”

何建宏答得很快，“六条产线全开的话日需十二公斤，提纯设备还得扩三倍。

但这只是工程放量的问题，技术上没有瓶颈了。”

陈阳转头看方墨。

方墨点了下头，意思是数据跟伏羲的交叉验证结果一致。

“衬底呢？”

“八英寸高阻单晶硅，表面热氧化二百八十纳米二氧化硅绝缘层。”

何建宏摆手，“这个不值得说，跟普通硅基晶圆一模一样，国内几十家厂能供。”

第四个人没等被点名就开口了。

三十出头，穿着蓝色冲锋衣，看着不像搞科研的。

光刻与图形化工艺负责人，许哲。

“各位最关心的问题——不用EUV怎么做七纳米。”

许哲把投影抢过来，切到一张工艺流程图。

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