第640章 碳基芯片（2/2）

“ArF浸没式DUV，波长一百九十三纳米。单次曝光分辨率极限是三十八纳米。

七纳米怎么做？

四重曝光。

一层图形拆成四次来印。”

“麻烦吗？”

他自问自答，“确实麻烦，光刻步骤比EUV多三倍，套刻精度要求正负一点七纳米。

但上海微电子最新的SSA800-10可以做到。”

“成本呢？”

秦风终于放下水杯，问了个商人该问的问题。

许哲咧嘴笑了一下——难得，这间屋子里终于有人问他懂的东西了。

“一台EUV光刻机，ASML报价二十亿人民币起，交期三年，想买还不一定卖你。

一台SSA800，报价一点二亿，交期四个月，管够。

四重曝光损失的产能用机台数量补回来，综合成本只有EUV方案的三分之一。”

“而且——”他竖起食指，“不受任何国家的出口管制。”

会议室里安静了两秒。

这句话的分量不需要任何人解释。

最后一个人始终没站起来，坐在角落里翻着平板。

周政看了他一眼：“老吕，到你了。”

吕远山，封测与可靠性负责人。

华天科技过来的老工程师，五十多岁，头发全白，手上有茧子。

他把平板往桌上一放，屏幕朝上，上面是一张性能对标表。

“别的我不多说。直接跟台积电N2对比。”

他声音不大，但在场所有人都竖起了耳朵。

“晶体管密度，我们两点一亿每平方毫米，台积电N2是一点八三亿。

高百分之十四点七。够到硅基一点八纳米节点的水平。”

“开关速度，门延时零点零八皮秒，N2的三点二倍。

同架构峰值频率提升百分之两百二十。”

秦风的嘴张开了。

“功耗。同性能下，动态功耗是N2的四分之一。

静态漏电功耗，十分之一。”

吕远山用手指点着平板上的数字，一个一个念。

“综合能效比，算力除以瓦数，是N2的四点五倍。

能量延迟积——这是集成电路领域最硬的综合能效指标——我们是N2的五分之一。”

“翻译成人话。”吕远山抬起头，看着陈阳。

“同样大小的芯片，我们的算力是台积电最先进工艺的三点五倍。

如果做AI专用张量芯片，算力密度是五倍，功耗还低四分之三。”

“还有一条。”他放下平板，“工作结温上限两百度。硅基商用上限一百二十五度。抗电离辐射能力是硅基的十二倍。”

“意味着什么？这玩意儿扔到太空里，扔到沙漠里，扔到核反应堆旁边，照样跑。”

会议室里没声音了。

苏清妍的笔记本上写了满满两页，最后几行字越写越潦草——不是她不认真，是手跟不上脑子。

方墨从角落走出来，站到投影前。

“我补一条。”他推了推眼镜，“伏羲现在跑在硅基超算集群上，满血版性能是雅典娜的五分之一。”

他看向陈阳。

“如果把伏羲迁移到碳基芯片集群上——同规模算力卡的情况下——单卡性能翻三到五倍。

同时功耗降到四分之一，意味着同样的电力预算下可以部署四倍数量的算力卡。”

“综合下来。”方墨在白板上写了一个乘法式。

“3.5×4=14。”

“理论峰值算力提升十四倍。”

“伏羲下一代迭代版本，如果跑在碳基集群上——”

他把笔帽盖上。

“性能将是雅典娜的二点八倍。”

陈阳站起来。

他走到桌前，拿起那块碳黑色的芯片样品。

指甲盖大小，八克重。

他翻过来看了看背面，又看了看正面。